코스텍시스, 주가 급등…'SiC 전력반도체 스페이서' 3분기 본격 양산

김준형 기자

2024-06-20 05:54:31

코스텍시스, 주가 급등…'SiC 전력반도체 스페이서' 3분기 본격 양산
[빅데이터뉴스 김준형 기자]
코스텍시스 주가가 시간외 매매에서 급등했다.

20일 한국거래소에 따르면 전일 시간외 매매에서 코스텍시스 주가는 종가보다 1.67% 오른 1만5200원에 거래를 마쳤다. 코스텍시스의 시간외 거래량은 4571주이다.

NH투자증권은 5일 코스텍시스에 대해 SiC 전력반도체용 스페이서 고객사 퀄 테스트 통과로 3분기에 본격 양산을 개시한다고 말했다. 목표주가와 투자의견은 제시하지 않았다.

강경근 NH투자증권 연구원은 “SiC 전력반도체용 스페이서 성과가 본격화한다"며 "스페이서는 DBC기판과 SiC칩 사이에 위치하며 칩에서 발생하는 열을 효율적으로 막아 열팽창으로 인한 칩 파손을 방지한다”고 설명했다.
차세대 전력반도체는 다양한 화학원소를 결합해서 만든 웨이퍼로 소자를 만들기 때문에 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등을 사용하면 실리콘 기반 칩보다 열에 강하고 부피를 축소할 수 있어 각광받아 왔다.

시장조사 업체 트렌드포스는 SiC 칩 시장 규모가 올해 22억7500만달러에서 2026년에는 53억2800만달러로 커질 것으로 관측했다. 2026년 시장 규모 중 74%를 자동차용 칩이 차지한다.

완성차 업체들은 차세대 전력반도체 제조 공정이 까다로운 점을 고려해 물량을 미리 확보하려 하고 있다. 차세대 전력반도체 가격이 오르는 이유다.
SiC·GaN 전력반도체 적용처가 늘어나면 반도체 칩 실장기판 필수재료인 '저열팽창 고방열 소재' 수요가 증가한다. 시스템 반도체의 고출력·고집적화로 발열량이 증가한다.

그는 “기존 스페이서 시장은 ALMT, FJ Composite 등 일본 업체가 독과점했다"며 "코스텍시스는 2019년부터 SiC 전력반도체용 방열 스페이스 국산화 개발을 추진하며 고방열 소재부터 패키지 제품까지 수직계열 했다”라고 분석했다.

이어 강 연구원은 “지난 5월 동사 SiC 전력반도체용 스페이서는 온세미컨덕터의 퀄 테스트 통과로, 이르면 올해 3분기 중 양산이 시작될 전망"이라며 "신규 차량 모델의 점유율 절반가량을 확보할 것으로 예상된다"고 했다.

또 "제품 마진은 기존 RF 통신용 패키지를 소폭 상회하는 수준으로 추정한다”면서 “ST마이크로, 비스테코 등 그간 시제품을 공급해온 고객사들도 이르면 올해 말 긍정적인 퀄 테스트 결과 발표할 것으로 기대한다”고 말했다.
강 연구원은 “가파르게 증가하는 SiC 전력반도체용 스페이서 수요에 선제적으로 대응하기 위해 추가 증설에 나설 것"이라며 "코스텍시스는 현재 2차 증설에 이어 3차 증설까지 계획 중”이라고 짚었다.

코스텍시스가 수요 증가에 대비해 RF 패키지 500억원, 방열 스페이서 600억원 등 총 1100억원 규모의 생산 능력을 확보한다는 계획이다.

아울러 그는 “코스텍시스의 실적은 올해 턴어라운드를 시작으로 본격적인 성장궤도에 진입할 것으로 보인다"며 "2025F PER은 12.1배 수준으로 스페이서 양산 본격화와 AMB Substrate 등 전력반도체 분야 신규아이템 개발 등을 감안하면 주가 업사이드는 풍부하다고 판단한다”라고 했다.

김준형 빅데이터뉴스 기자 kjh@thebigdata.co.kr
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